Pengiriman pertama chip 3 nanometer dirayakan oleh Samsung
February 22, 2025Samsung merayakan pengiriman pertama Gate-All-Around 3 nanometer chipnya, yang diumumkan awal bulan ini akan memulai produksi massal. Diketahui bahwa Samsung memulai penelitian transistor GAA pada awal tahun 2000-an dan bereksperimen dengan desain ini pada 2017. Sekarang, Samsung bersiap untuk membuat chip massal menggunakan proses baru, menurut GSM Arena, Selasa. Dibandingkan dengan desain FinFET, yang […]