Samsung merayakan pengiriman pertama Gate-All-Around 3 nanometer chipnya, yang diumumkan awal bulan ini akan memulai produksi massal.

Diketahui bahwa Samsung memulai penelitian transistor GAA pada awal tahun 2000-an dan bereksperimen dengan desain ini pada 2017.

Sekarang, Samsung bersiap untuk membuat chip massal menggunakan proses baru, menurut GSM Arena, Selasa.

Dibandingkan dengan desain FinFET, yang telah menjadi standar selama beberapa tahun, desain Gate-All-Around memungkinkan transistor untuk membawa lebih banyak arus sementara tetap kecil.

Chip GAA 3nm, jika dibandingkan dengan chip FinFET 5nm serupa, akan menggunakan daya 45%, 23%, dan 16% lebih sedikit. Samsung menyatakan hal ini.

Meskipun Samsung tidak mengungkapkan jenis chip apa yang sedang dalam proses pengiriman, perusahaan berniat membuat chip smartphone menggunakan desain 3nm GAA.

Meskipun TSMC masih akan menggunakan desain FinFET, mereka juga akan mulai membuat chip 3nm secara massal akhir tahun ini.

Perusahaan Taiwan itu nantinya akan beralih ke desain GAAFET dengan beralih ke node 2nm.