Perangkat “flash memory” tercepat di dunia diumumkan oleh tim ilmuwan China.

Perangkat memori kilat inovatif—juga dikenal sebagai flash memory—diciptakan oleh tim peneliti China. Perangkat ini memiliki kemampuan untuk menyimpan data dengan kecepatan satu bit per 400 pikodetik, mencetak rekor baru sebagai perangkat penyimpanan semikonduktor tercepat yang pernah ada.

Memori nonvolatil yang disebut “PoX” bahkan lebih cepat daripada teknologi memori volatil tercepat; satu bit data hanya disimpan dalam waktu satu hingga sepuluh nanodetik.

Pikodetik adalah sepersetriliun detik atau seribu nanodetik. Memori volatil seperti SRAM dan DRAM tidak cocok untuk sistem berdaya rendah karena mereka kehilangan data saat kehilangan daya.

Meskipun demikian, memori nonvolatil seperti memori flash, meskipun hemat energi, tidak dapat memenuhi permintaan akses data berkecepatan tinggi dari kecerdasan buatan (AI).

Dengan menggunakan mekanisme inovatif, para peneliti di Universitas Fudan mengembangkan perangkat flash memory berstruktur Dirac graphene-channel dua dimensi. Ini melampaui batas kecepatan penyimpanan dan akses informasi nonvolatil.

Penelitian ini diterbitkan pada Rabu (16/4) dalam jurnal Nature.

Zhou Peng dari Universitas Fudan, peneliti utama studi ini, menyatakan, “Menggunakan algoritma AI untuk mengoptimalkan kondisi pengujian proses, kami memajukan inovasi ini secara signifikan dan membuka jalan untuk penerapan di masa depan.”

Menurut pengulas sejawat jurnal tersebut, “Ini adalah karya orisinal dan kebaruannya cukup untuk merancang potensi flash memory berkecepatan tinggi di masa depan.”